來源:英飛凌工業半導體
採用 1200V SiC M1H 晶片的 62mm 半橋模組,最大規格 1mΩ
1200V 的 62mm CoolSiC™ MOSFET 半橋模組現已上市。由於採用了 M1H 晶片技術,模組在 VGS(th)、RDS(on) 漂移和柵極驅動電壓視窗方面性能得到了改善。這些模組還提供預塗導熱介面材料(TIM)版本。
相關產品:
- 集成體二極體,優化了熱阻
- 最高的防潮性能
- 卓越的柵極氧化層可靠性
- 抗宇宙射線能力強
- 符合 RoHS 標準要求
- 按照應用苛刻條件優化
- 更低的電壓過沖
- 導通損耗最小
- 高速開關,損耗極低
- 對稱模組設計實現對稱的上下橋臂開關行為
- 標準模組封裝技術確保可靠性
- 62 毫米高產量生產線上生產
- 通過碳化矽擴展成熟的 62 毫米封裝的產品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
- 電流密度最高,防潮性能強
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