新品 | 12 個 CoolSiC™ MOSFET 新型號 - 1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B 和 Easy2B 模組
來源:英飛凌工業半導體
12 個 CoolSiC™ MOSFET 新型號 —— 1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B
和Easy2B模組
又有一批 12 個不同型號的 EasyPACK™ 和 EasyDUAL™ 1B 和 2B CoolSiC™ MOSFET 模組上市,他們採用 CoolSiC™ MOSFET 增強型 1 代,適用於電動汽車充電、UPS 和光伏、儲能。
這些模組採用 PressFIT 壓接技術並帶 NTC 溫度檢測,有 Al2O3/AlN DCB 兩種版本,型號中帶 P 的是預塗 TIM 材料。
產品型號:
- F4-8MR12W2M1H_B70
8 毫歐 H 橋 AlN DCB
- F4-8MR12W2M1HP_B76
8 毫歐 H 橋 TIM
- F4-11MR12W2M1H_B70
11 毫歐 H 橋 AlN DCB
- F4-11MR12W2M1HP_B76
11 毫歐 H 橋 TIM
- F4-33MR12W1M1H_B76
33 毫歐 H 橋
- F4-17MR12W1M1H_B76
17 毫歐 H 橋
- F4-17MR12W1M1HP_B76
17 毫歐 H 橋 TIM
- F3L11MR12W2M1HP_B19
11 毫歐 T - 三電平 TIM
- FF11MR12W2M1H_B70
11 毫歐 半橋 AIN DCB
- FF11MR12W2M1HP_B11
11 毫歐 半橋 TIM
- FS13MR12W2M1H_C55
13 毫歐 三相橋 AIN DCB
- FS13MR12W2M1HP_B11
13 毫歐 三相橋 TIM
產品特點
- 1200V CoolSiC™ MOSFET
- Easy1B,Easy2B 封裝
- 非常低的模組寄生電感
- RBSOA 反向工作安全區寬
- 柵極驅動電壓視窗大
- PressFIT 引腳
應用價值
- 擴展了柵源電壓最大值:+23V 到 -10V
- 在超載條件下,Tvjop 最高可達 175°C
- 最佳的性價比,可降低系統成本
- 可工作在高開關頻率,並改善對冷卻要求
競爭優勢
完整的半橋 SiC 模組產品組合,包括標準 Al2O3 DCB 和低熱阻高性能 AIN DCB
應用領域
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