來源：英飛凌官方微信

英飛凌為汽車應用推出業界導通電阻最低的

80V MOSFET OptiMOS™ 7

英飛凌科技推出其最新先進功率 MOSFET 技術 － OptiMOS™ 7 80 V 的首款產品 IAUCN08S7N013。 該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流 SSO8 5 x 6 mm² SMD 封裝。 這款 OptiMOS™ 7 80 V 產品非常適合即將推出的 48 V 板網應用。 它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高品質和穩健性而打造，包括電動車的汽車直流 - 直流轉換器、48 V 電機控制（例如電動助力轉向系統（EPS））、48 V 電池開關以及電動兩輪車和三輪車等。

與上一代產品相比，英飛凌 IAUCN08S7N013 的 RDS(on)降低了 50% 以上，最高不超過 1.3 mΩ，達到目前業界的領先水準。 該產品以 5 x 6 mm² 封裝實現了更小的傳導損耗、超強的開關性能和更高的功率密度等優點。 此外，IAUCN08S7N013 還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強的特點。 該半導體元件在汽車應用方面已取得 AEC-Q101 標準以上的認證。

英飛凌推出用於功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，

為現代汽車應用提供更高效率

英飛凌科技推出採用 OptiMOS™ MOSFET 技術的 SSO10T TSC 封裝。 該封裝採用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。 該封裝能夠實現簡單、緊湊的雙面 PCB 設計，並更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統成本。 因此，SSO10T TSC 適用於電動助力轉向系統（EPS）、電子機械煞車系統（EMB）、配電、無刷直流馬達（BLDC）、安全開關、反向電池和 DCDC 轉換器等應用。

SSO10T TSC 的佔板面積為 5 x 7 mm²，並且基於已確立的行業標準 SSO8（5 x 6 mm² 的堅固外殼）。 但由於採用了頂部冷卻，SSO10 TSC 的性能比標準 SSO8 高出 20% 以上，最高可高出 50%（具體取決於所使用的熱界面（TIM）材料和 TIM 的厚度）。 SSO10T TSC 封裝被 JEDEC 列為開放市場產品，能夠與開放市場第二供應商的產品進行廣泛相容。 因此，該封裝可作為未來頂部冷卻標準快速、輕鬆地推出。

SSO10T 半導體封裝能夠實現高度緊湊的 PCB 設計，減少系統佔用空間。它還透過消除通孔降低了冷卻設計的成本，進而減少了整體系統成本和設計工作量。同時，該封裝還提供高功率密度和高效率，從而支持面向未來的永續汽車的發展。

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