來源：英飛凌官方微信

隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級 GPU 的能源需求激增。到本十年末，每顆高級 GPU 晶片的能耗可能達到 2 千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司開發電壓 650 V 以下的 SiC MOSFET 產品。現在，英飛凌基於今年早些時候發佈的第二代（G2）CoolSiC™ 技術，推出全新 CoolSiC™ MOSFET 400 V 系列。全新 MOSFET 產品組合專為 AI 伺服器的 AC/DC 級開發，是對英飛凌最近公佈的 PSU 路線圖的補充。該系列器件還適用于太陽能和儲能系統（ESS）、變頻電機控制、工業和輔助電源（SMPS）以及住宅建築固態斷路器。

CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless

英飛凌提供的豐富高性能 MOSFET 和 GaN 電晶體產品組合能夠滿足 AI 伺服器電源對設計和空間的苛刻要求。我們致力於通過 CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 等先進產品為客戶提供支援，推動先進AI應用實現最高能效。

與現有的 650 V SiC 和 Si MOSFET 相比，新系列具有超低的傳導和開關損耗。這款 AI 伺服器電源裝置的 AC/DC 級採用多級 PFC，功率密度達到 100 W/in³ 以上，並且效率達到 99.5%，較使用 650 V SiC MOSFET 的解決方案提高了 0.3 個百分點。此外，由於在 DC/DC 級採用了 CoolGaN™ 電晶體，其系統解決方案得以完善。通過這一高性能 MOSFET 與電晶體組合，該電源可提供 8 千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了 3 倍以上。

全新 MOSFET 產品組合共包含 10 款產品：5 款R_{DS(on) 級（11 至 45 mΩ）產品採用開爾文源 TOLL 和 D²PAK-7 封裝以及 .XT 封裝互連技術。在 Tvj = 25°C 時，其漏極 - 源極擊穿電壓為 400 V，因此非常適合用於 2 級和 3 級轉換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關條件下具有很高的穩健性，並且通過了 100% 的雪崩測試。高度穩健的 CoolSiC™ 技術與 .XT 互連技術相結合，使這些半導體器件能夠應對 AI 處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態，並且憑藉連接技術和低正 RDS(on) 溫度係數，即便在結溫較高的工作條件下也能發揮出色的性能。}

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