來源：英飛凌工業半導體

CoolSiC™ MOSFET 400V G2 將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起，同時改善了系統成本。400V SiC MOSFET 可在 2 電平和 3 電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智慧伺服器 PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及 D 類放大器中的功率轉換。

產品型號：

• IMBG40R011M2H
• IMBG40R015M2H
• IMBG40R025M2H
• IMBG40R036M2H
• IMBG40R045M2H
• IMT40R011M2H
• IMT40R015M2H
• IMT40R025M2H
• IMT40R036M2H
• IMT40R045M2H

產品特點

與 650V SiC MOSFET 相比，FOM 更好

低 Qfr 值的快速換流二極體

R_DS(on) 溫度係數小

柵極閾值電壓 VGS(th)=4.5V

可以單電源驅動 VGSoff=0V

100% 經過雪崩測試

開關速度可控性高

高 dV/dt 運行期間的低過沖

.XT 互聯技術

一流的熱性能

應用價值

系統效率高

高功率密度設計

高設計魯棒性

減少 EMI 濾波

在硬開關拓撲中使用

競爭優勢

支援採用創新拓撲結構（如 3L PFC，ANPC）

與 HV SiC MOSFET 相比，Ron x A 降低，FoM 提高，R_DS(on) 與 Tj 曲線平坦，100°C 時增幅最小

低 Qgd,Qoss fr,Eoss

高壓擺率控制、線性 Coss 和低 Qfr

高柵極驅動閾值電壓 Vth,typ=4.5V 實現 0V-18V 驅動

以及較低的米勒比，以減輕 Cgd，Vds/dt 引起的寄生導通

應用領域

AI 伺服器電源

SMPS

電機控制

輕型電動汽車

叉車

電動飛機

固態斷路器

太陽能

能源儲存

D 類放大器

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