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來源:英飛凌工業半導體
CoolSiC™ MOSFET 400V G2 將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起,同時改善了系統成本。400V SiC MOSFET 可在 2 電平和 3 電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智慧伺服器 PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及 D 類放大器中的功率轉換。
產品型號:
產品特點
與 650V SiC MOSFET 相比,FOM 更好
低 Qfr 值的快速換流二極體
RDS(on) 溫度係數小
柵極閾值電壓 VGS(th)=4.5V
可以單電源驅動 VGSoff=0V
100% 經過雪崩測試
開關速度可控性高
高 dV/dt 運行期間的低過沖
.XT 互聯技術
一流的熱性能
應用價值
系統效率高
高功率密度設計
高設計魯棒性
減少 EMI 濾波
在硬開關拓撲中使用
競爭優勢
支援採用創新拓撲結構(如 3L PFC,ANPC)
與 HV SiC MOSFET 相比,Ron x A 降低,FoM 提高,RDS(on) 與 Tj 曲線平坦,100°C 時增幅最小
低 Qgd,Qoss fr,Eoss
高壓擺率控制、線性 Coss 和低 Qfr
高柵極驅動閾值電壓 Vth,typ=4.5V 實現 0V-18V 驅動
以及較低的米勒比,以減輕 Cgd,Vds/dt 引起的寄生導通
應用領域
AI 伺服器電源
SMPS
電機控制
輕型電動汽車
叉車
電動飛機
固態斷路器
太陽能
能源儲存
D 類放大器
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