來源：英飛凌官方微信

• 憑藉這一突破性的 300 mm GaN 技術，英飛凌將推動 GaN 市場快速增長
• 利用現有的大規模 300 mm 矽製造設施，英飛凌將最大化 GaN 生產的資本效率
• 300 mm GaN 的成本將逐漸與矽的成本持平

英飛凌科技股份公司近日宣佈，已成功開發出全球首項 300 mm 氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動 GaN 功率半導體市場的發展。相較於 200 mm 晶圓，300 mm 晶圓晶片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。

300 mm 氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓

基於 GaN 的功率半導體正在工業、汽車、消費、計算和通信應用中快速普及，包括 AI 系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。先進的 GaN 製造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶的應用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑藉可擴展性，300 mm 製造工藝在客戶供應方面具有極高的穩定性。

Jochen Hanebeck 英飛凌科技首席執行官

這項重大成功是英飛凌的創新實力和全球團隊努力工作的結果，進一步展現了我們在 GaN 和功率系統領域創新領導者的地位。這一技術突破將推動行業變革，使我們能夠充分挖掘 GaN 的潛力。在收購 GaN Systems 近一年後，我們再次展現了在快速增長的 GaN 市場成為領導者的決心。作為功率系統領域的領導者，英飛凌掌握了全部三種相關材料，即：矽、碳化矽和氮化鎵。

英飛凌已在其位於奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠中，利用現有 300 mm 矽生產設備的整合試產線，成功地生產出 300 mm GaN 晶圓。英飛凌正通過現有的 300 mm 矽和 200 mm GaN 的成熟產能發揮其優勢，同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑藉 300 mm GaN 制程技術，英飛凌將推動 GaN 市場的不斷增長。據估計，到 2030 年末，GaN 市場規模將達到數十億美元。

英飛凌位於奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠

這一開創性的技術成就彰顯了英飛凌在全球功率系統和物聯網半導體領域的領導者地位。英飛凌正通過佈局 300 mm GaN 技術，打造更具成本效益價值、能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以加強現有解決方案並使新的解決方案和應用領域成為可能。2024 年 11 月，英飛凌將在慕尼克電子展（electronica）上向公眾展示首批 300 mm GaN 晶圓。

由於 GaN 和矽的製造工藝十分相似，因此 300 mm GaN 技術的一大優勢是可以利用現有的 300 mm 矽製造設備。英飛凌現有的大批量 300 mm 矽生產線非常適合試產可靠的 GaN 技術，既加快了實現的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN 的全規模化生產將有助於實現 GaN 與矽的成本在同一 R_DS(on) 級別能夠接近，這意味著同級的矽和 GaN 產品的成本將能夠持平。

300 mm GaN 是英飛凌戰略創新領導地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數位化使命的達成。

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