來源: Vishay

原創 Vishay 威世科技

最新 IGBT 和 MOSFET 驅動器

• 器件峰值輸出電流高達 4 A
• 工作溫度高達 +125 °C，傳播延遲低至 200 ns

Vishay 推出兩款採用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝的最新 IGBT 和 MOSFET 驅動器。VOFD341A 和 VOFD343A 的峰值輸出電流分別達 3 A 和 4 A，工作溫度高達 +125 C，傳播延遲低至 200 ns。

新發佈的光耦合器包含一個 AlGaAs LED（該 LED 通過光學耦合方式連接到具有功率輸出級的積體電路，用於太陽能逆變器和微逆變器）、交流和無刷直流工業電機控制逆變器，以及用於 UPS 中交流/直流轉換的逆變級。器件非常適合直接驅動額定值達 1200 V / 100 A 的 IGBT。

VOFD341A 和 VOFD343A 支援的工作溫度高，這為更緊湊的設計提供了更高的溫度安全裕量，而器件的高峰值輸出電流無需額外的驅動級即可實現更快開關。器件的傳播延遲低，可將開關損耗降至最低程度，同時有助於進行更精確的 PWM 調節。

光耦合器的高隔離封裝可支援高達 1140 V 的高工作電壓，因此可用於高壓逆變級，同時仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合 RoHS 規範，可支援高達 50 kV/µs 的抗擾，從而防止在快速開關功率級中出現下降函數。