英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋 700V！

來源: 英飛凌工業半導體

作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵（GaN）憑藉其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個 300mm 氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業，進一步推動了 GaN 市場快速增長。

目前，英飛凌全新一代的氮化鎵產品 CoolGaN™ G3 和 CoolGaN™ G5 系列震撼來襲！採用英飛凌自主研發的高性能 200mm 晶圓工藝製造，將氮化鎵的應用範圍擴大到 40V 至 700V！快一起來看看吧！

CoolGaN™ G3 中壓電晶體

CoolGaN™ G3 系列覆蓋 60V、80V、100V 和 120V 電壓等級，以及 40V 雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、資料中心、太陽能和消費應用。

CoolGaN™ G5 高壓電晶體

CoolGaN™ G5 系列基於 GIT（Gate Injection Transistor，柵注入電晶體）技術推出新一代 650V 電晶體，以及基於 G5 的 IPS 驅動產品，適用於消費、資料中心、工業和太陽能領域的應用。

產品特性

1. 擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供 40V、650V 和 850V 電壓的 CoolGaN™ 雙向開關（BDS）。
   • CoolGaN™ BDS 650V 和 850V：採用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個 BDS 代替四個傳統電晶體，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益並大幅節約成本
   • CoolGaN™ BDS 40V：基於英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，並且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背 MOSFET
   • 相比背對背矽 FET，使用 40V GaN BDS 的優點包括節省 50% - 75% 的 PCB 面積、降低 50% 以上的功率損耗，以及減少成本
   • 目標應用和市場涵蓋移動設備 USB 埠、電池管理系統、逆變器和整流器等
2. 具有無損電流檢測功能，簡化了設計並進一步降低了功率損耗的 CoolGaN™ 智慧感應 Smart Sense。
   • 2kV 的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過流保護
   • 電流檢測回應時間約為 200ns，小於等於普通控制器的消隱時間
   • 具有極高的相容性
   • 目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器

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