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2025-03-10資料下載 | 借助英飛凌創新 CoolGaN™ 解決方案提高系統性能，為新一代解決方案提供動力
來源: 英飛凌官方微信
英飛凌的 CoolGaN™ 解決方案可助力您將設計提升到新的高度。CoolGaN™ 擁有出色的可靠性、行業領先的性能和最高品質，能夠為伺服器、超大規模資料中心、電信、電機控制、工業解決方案、住宅太陽能系統和 ESS、車載充電系統、USB-C 適配器和充電器以及音響系統等眾多應用中的各種不同系統創造巨大價值。
探索 CoolGaN™ 創新世界，邁向高效、可靠的新時代！
CoolGaN™ 高壓驅動
CoolGaN™Drive 600V/700V G5 產品系列基於 CoolGaN™Transistor 技術和智慧柵極驅動器。解決方案包括單開關和半橋式集成驅動器選項。
特性
● 集成柵極驅動器，自引導二極體，無損電流檢測，可調開 / 關 dv / dt 包括大多數產品
● 全面的保護功能集：OCP，OTP，SCP 可在大多數產品
● 140 mΩ - 500 mΩ 低成本 LGA 6x8
● 55 mΩ - 500 mΩ 在 PQFN 5x6 和 6x8
益處
● 高功率密度，實現最高效率，減輕系統重
● 減少物料清單（BoM）元件
● 由於效率的提高和組件的減少，減少了碳足跡
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CoolGaN™ 智慧感測產品是 CoolGaN™ 產品系列的新成員，擁有行業領先的集成式電流感測功能，以及其他感測和保護功能選項。
特性
● 與電晶體集成在一個封裝中 —— 封裝尺寸與僅含電晶體的封裝相相容
● 連接至控制器 CS，可實現峰值電流控制和過流保護
● 電流感測回應時間約為 200ns，等於或小於普通控制器消隱時間
益處
● 從 CoolGaN™ 電晶體輕鬆升級到 CoolGaN™ 智慧感測，無需重新佈局，無需重新設計電路板
● 通過降低感測電阻器損耗和消除散熱熱點，使效率提高約 0.4%
● 節約成本：選擇價格更低的 350 mΩ RDSon CoolGaN™ 智慧感測來實現與傳統 150 mΩ GaN 電晶體相似的效率和熱性能
● 可以使用開爾文源極進行驅動，從而實現更清潔的驅動回路和接地
● 本征“無源 GaN FET”，無需額外電源，簡潔易用
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高壓 CoolGaN™BDS
高壓 CoolGaN™BDS 產品是基於英飛凌 CoolGaN™ 技術的單片雙向開關（BDS）器件。這些器件是常閉型柵極注入電晶體（GIT），具備兩個實現了獨立的電氣隔離控制的柵極。BDS 器件能夠阻斷兩個方向的電壓。
特性
● 真正的常閉型 650V 單片雙向開關，提供 4 種運行模式
● 兩個獨立的柵極，帶襯底端子並實現了獨立的電氣隔離控制
● 共漏極配置
● 利用相同的漂移區來阻斷兩個方向的電壓
益處
● 用 1 顆器件而不是 4 顆來實現目標電路性能
● 用單個雙向開關來取代 2 個或 4 個單向開關，從而節約成本
● 可實現更高開關頻率並提升性能（效率、密度、可靠性）
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中壓 CoolGaN™BDS
中壓 CoolGaN™BDS 產品是基於英飛凌 CoolGaN™ 技術的單片雙向開關（BDS）器件。這些器件是常閉型柵極注入電晶體（GIT），具備兩個實現了獨立的電氣隔離控制的柵極。BDS 器件能夠阻斷兩個方向的電壓。
特性
● 真正的常閉型 650V 單片雙向開關，提供 4 種運行模式
● 兩個獨立的柵極，帶襯底端子並實現了獨立的電氣隔離控制
● 共漏極配置
● 利用相同的漂移區來阻斷兩個方向的電壓
益處
● 用 1 顆器件而不是 4 顆來實現目標電路性能
● 用單個雙向開關來取代 2 個或 4 個單向開關，從而節約成本
● 可實現更高開關頻率並提升性能（效率、密度、可靠性）
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