SOT-227 封裝 650 V 和 1200 V SiC 肖特基二極體，提升高頻應用效率

來源Vishay 威世科技

新型碳化矽（SiC）肖特基二極體

• 40 A 至 240 A 雙二極體和單相橋式器件正向壓降低至 1.36 V，QC 僅為 56 nC

威世科技宣佈，推出 16 款採用工業標準 SOT-227 封裝的新型 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC）肖特基二極體。這些 Vishay 半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極體中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實現了出色的平衡。

日前發佈的二極體包括 40 A 至 240 A 的並聯雙二極體組件，以及 50 A 至 90 A 單相橋器件。這些二極體基於先進的薄晶圓技術製造，正向壓降低至 1.36 V，顯著減小導通損耗，提高能效。此外，與矽基二極體相比，這些器件具有更好的反向恢復參數，幾乎沒有恢復尾電流。

這些器件的典型應用包括 AC/DC 功率因數校正（PFC），以及用於光伏系統、充電站、工業不斷電供應系統（UPS）和電信電源的反激式（FBPS）和LLC轉換器中的 DC/DC 超高頻輸出整流。在這些應用環境下，二極體 QC 低至 56 nC，可實現高速開關，其採用的行業標準封裝可直接替代競品解決方案。

這些二極體可在高達 +175 ℃ 高溫下工作，並且具有正溫度係數便於並聯。這些器件通過 UL E78996 認證，其特點是端子之間具有較大的爬電距離，以及簡化的機械設計，便於快速組裝。

器件規格表

¹V_R = 400 V

²V_R = 800 V

Vishay 16 款採用工業標準 SOT-227 封裝的
新型 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC）肖特基二極體

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新型 SiC 肖特基二極體