英飛凌推出採用新型矽封裝的 CoolGaN™ G3電晶體， 推動全行業標準化進程

來源: 英飛凌官方微信

氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子元件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN 供應商採用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏相容多種封裝的貨源。

CoolGaN™ G3 100V 電晶體與 WRTFN-9-2 組合

為了解決這個問題，英飛凌推出採用 RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和採用 RQFN 3.3x3.3 封裝的 CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高效能 GaN 電晶體。

CoolGaN™ G3 100V 電晶體元件將採用 5x6 RQFN 封裝，典型導通電阻為 1.1mΩ；CoolGaN™ G3 80V 將以 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為 2.3mΩ。這兩款電晶體的封裝首次讓客戶可以採取簡便的多源採購策略，以及與矽基設計形成互補的佈局，而新封裝與 GaN 組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現高性能電晶體輸出。

此外，這種晶片與封裝組合具有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分佈和散發，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環穩定性。

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