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[Infineon] 英飛凌推出 CoolSiC™肖特基二極體 2000V 的 TO-247-2 封裝,在提升效率的同時簡化設計
2025-05-26

英飛凌推出 CoolSiC™肖特基二極體 2000V 的 TO-247-2 封裝,在提升效率的同時簡化設計

來源: 英飛凌工業半導體

【2025 年 3 月 14 日,德國慕尼黑訊】目前,許多工業應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發展,實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對此市場趨勢,全球電力系統與物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)於 2024 年 9 月推出 CoolSiC™ 肖特基二極體 2000V G5 產品系列,這是首款擊穿電壓達到 2000V 的碳化矽二極管分立元件。該產品系列目前擴展到 TO-247-2 封裝,其引腳可與現有的大多數 TO-247-2 封裝相容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為 1500 VDC 的應用,是太陽能和電動車充電樁的理想選擇。

這款 TO-247-2 封裝的 2000V CoolSiC™ 肖特基二極體 G5 的額定電流範圍為 10A 至 80A。相較於 1200V 解決方案,這款產品能使開發人員在應用中實現更高功率等級,同時將元件數量減半,從而簡化整體設計,並有助於從多電平拓撲結構無縫過渡到兩電平拓撲結構。

此外,TO-247-2 封裝的肖特基二極體也採用 .XT 互聯技術,大大降低了熱阻抗,提高了熱管理能力。它還通過 HV-H3TRB 可靠性測試,驗證了在潮濕環境中的穩定性。這款二極體沒有反向恢復和正向恢復,且具有正向電壓低的特點,從而確保了系統性能的提升。

2000V 二極體系列可與英飛凌 2024 年春季推出的 TO-247PLUS-4 HCC 封裝 CoolSiC™ MOSFET 2000V 完美搭配。除 TO-247-2 封裝外,CoolSiC™ 肖特基二極體 2000V 也提供 TO-247PLUS-4 HCC 封裝。

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